金融界2024年12月5日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中芯世界集成电路制作(北京)有限公司、中芯世界集成电路制作(上海)有限公司请求一项名为“图画传感器像素结构及其构成办法”的专利，公开号 CN 119069489 A，请求日期为2023年5月。

  专利摘要显现，一种图画传感器像素结构及其构成办法，其间结构包含：半导体衬底；坐落半导体衬底内的感光层；坐落半导体衬底内且坐落感光层上的阻隔层；坐落半导体衬底内的榜首栅极结构，榜首栅极结构延伸至感光层内；坐落半导体衬底内且坐落阻隔层上的存储层；坐落半导体衬底内的榜首阻隔结构。感光层、阻隔层和存储层坐落半导体衬底内的不同深度，因此在减小像素结构尺度的一起，能确保感光层的面积占比，以此确保器材结构的功能。经过榜首栅极结构可以在必定程度上完结感光层的电子笔直传输，进步电荷传输功率。一起榜首栅极结构可直接与感光层触摸，使得榜首阻隔结构可以选用深沟在答应电压下不导电的资料阻隔方式构成，有用处理了相邻像素结构之间的感光层之间产生电子串扰问题。