金融界2024年12月2日音讯，国家知识产权局信息数据显现，珠海镓未来科技有限公司请求一项名为“具有环状电极结构的半导体器材及其制造的进程”的专利，公开号CN 119050138 A，请求日期为2024年11月。

  专利摘要显现，本发明施行例公开了一种具有环状电极结构的半导体器材及其制造的进程，应用于电子器材技术领域。半导体器材主要是在外延结构的有源区外围设置阻隔区，并在有源区用栅极将源极包围起来，相邻电极组的源极为不同电位的电极，最上端和最下端的电极组中的源极也为不同电位的电极，而在阻隔区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，这样经过金属环结构及离子注入区域能够将有源区内的源极得到必定效果地可靠性提高，以此来完成了半导体器材的高可靠性。